Dell戴尔 PowerEdge R440服务器内存插槽使用说明，内存插法及正确安装方法 – Dell服务器 |
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Dell戴尔 PowerEdge R440服务器内存插槽使用说明，内存插法及正确安装方法 – Dell服务器
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系统包含 16 个内存插槽。处理器 1 最多支持 10 个内存插槽，处理器 2 最多支持 6 个内存插槽。每个处理器均分配有六个内存通道。处理器 1 的每个通道有 4 个双 DIMM 插槽和 2 个单 DIMM 插槽；处理器 2 的每个通道有 6 个单 DIMM 插槽。 图 1. 内存插槽位置
内存通道按如下方式组织： 表 1. 内存通道 处理器 通道 0 通道 1 通道 2 通道 3 通道 4 通道 5 处理器 1 插槽 A1 和 A7 插槽 A2 和 A8 插槽 A3 插槽 A4 和 A9 插槽 A5 和 A10 插槽 A6 处理器 2 插槽 B1 插槽 B2 插槽 B3 插槽 B4 插槽 B5 插槽 B6 表 2. 内存填充 DIMM 类型 填充的 DIMM 数/通道 电压 操作频率 (MT/S) 最大 DIMM 列数/通道 RDIMM 1 1.2 V 2666、2400、2133、1866 双列或单列 2 2666、2400、2133、1866 双列或单列 LRDIMM 1 1.2 V 2666、2400、2133、1866 四列 2 2666、2400、2133、1866 四列 一般内存模块安装原则为确保获得最佳系统性能，请在配置系统内存时遵守以下一般原则。如果系统的内存配置无法查看这些原则，系统可能无法引导、在内存配置期间停止响应，或者可能在降低内存的情况下运行。 所选的系统配置文件(例如,性能优化,或自定义[高速运转可以运行或更低]) 处理器支持的最大 DIMM 速度。 处理器支持的最大 DIMM 速度。 支持的最大 DIMM 速度 注: MT/s 表示 DIMM 速度 (MegaTransfers/s)。此系统支持灵活内存配置，使系统能够在任何有效的芯片组结构配置中配置和运行。建议您遵循以下原则，以安装内存模块： 所有 DIMM 都必须是 DDR4。 RDIMM 和 LRDIMM 不得混用。 64 GB LRDIMMS 是 DDP (Dual Die Package) LRDIMM，不得与属于 TSV (Through Silicon Via/3DS) LRDIMM 的 128 GB LRDIMM 混用。 基于 x4 和 x8 DRAM 的内存模块可以混用。 无论列数是多少，每个通道可以填充多达两个 RDIMM。 无论列数是多少，每个通道可以填充多达两个 LRDIMM。 无论列数是多少，每个通道最多可以填充两列不同的 DIMM。 如果安装不同速度的内存模块，它们将以最低安装内存模块速度运行。 仅在安装处理器时填充内存模块插槽。 对于单处理器系统，插槽 A1 至 A10 可用。 对于双处理器系统，插槽 A1 至 A10 和插槽 B1 至 B6 可用。 首先填充所有带白色释放卡舌的插槽，然后填充带黑色释放卡舌的插槽。 当混合使用具有不同容量的内存模块时，首先用具有最高容量的内存模块填充插槽。 注: 例如，如果要混用 16 GB 和 8 GB 内存模块，则用 16 GB 内存模块填充具有白色释放卡舌的插槽，再用 8 GB 内存模块填充具有黑色释放卡舌的插槽。 只要遵循其他内存填充规则，则不同容量的内存模块可以混用。 注: 例如，8 GB 和 16 GB 内存模块可以混用。 在双处理器配置中，每个处理器的内存配置必须相同。 注: 例如，如果填充处理器 1 的插槽 A1，则填充处理器 2 的插槽 B1，以此类推。 不支持在同一个系统中混合使用两个以上的内存模块容量。 不平衡的内存配置将会导致丢失性能，因此，始终使用完全相同的 DIMM 采用相同方式填充内存通道以获得最佳性能。 每个处理器一次填充六个完全相同的内存模块（每个通道一个 DIMM）以最大化性能。 DIMM 填充更新为性能优化模式，并且每个处理器的数量为 4 和 8 个 DIMM。 每个处理器的 DIMM 数量为 4 时，填充插槽 1、2、4、5。 每个处理器的 DIMM 数量为 8 时，填充插槽 1、2、4、5、7、8、9、10。 模式特定原则 系统 BIOS 中所选的内存模式将决定允许的配置。 表 1. 内存运行模式 内存运行模式 说明 优化器模式 如果已启用优化器模式，DRAM 控制器会在 64 位模式下独立运行并提供优化的内存性能。 镜像模式 如果已启用镜像模式，系统将在内存中保留两个完全相同的数据副本，总可用系统内存是已安装物理总内存的一半。安装内存的一半用于镜像活动内存模块。此功能可提供最大可靠性，即使内存发生灾难性故障，系统也能切换至镜像副本，继续运行。启用镜像模式的安装原则要求内存模块的大小、速度和技术完全相同，并且它们必须按照每个处理器 6 组的方式填充。 单列备用模式 单列内存备用为每个通道分配一列作为备用。如果某个列或通道中出现大量可纠正错误，它们可以在操作系统运行时移动到备用区域，以防止导致不可纠正故障的错误。需要在每个通道填充两列或多列。 多列备用模式 多列备用模式为每个通道分配两列作为备用。如果某个列或通道中出现大量可纠正错误，它们可以在操作系统运行时移动到备用区域，以防止导致不可纠正故障的错误。需要在每个通道填充三列或更多列。启用单通道内存备用后，系统 操作系统可用的内存减少一 列（每个通道）。
例如，在带十六个 16 GB 双列内存模块的双处理器配置中，可用的系统内存是：16 GB x 16（内存模块） – 8GB（1 列备用/通道） x 12（通道 ） = 256 GB – 96 GB = 160 GB。对于多列 备用，采用十六个 64 GB 四列内存模块的双处理器配置，可用的系统内存： 64 GB x 16（内存模块）- 32 GB（2 列备用/通道） x 12（通道）= 1024 GB - 384 GB = 640 GB。 注: 要使用内存备用，必须在系统设置程序的 BIOS 菜单中启用此功能。 注: 内存备用不提供针对多位不可纠正错误的保护。 戴尔故障恢复模式 如果启用戴尔故障恢复模式，BIOS 会建立故障恢复内存区域。此模式可由支持加载关键应用程序或启用操作系统内核功能的操作系统使用，以最大化系统可用性。 注: 此功能仅在 Gold 和 Platinum 英特尔处理器中受支持。 注: 内存配置必须具有相同大小的 DIMM、速度和级别。 优化器模式此模式仅针对使用 x4 设备宽度的内存模块支持单设备数据纠正 (SDDC)，不会产生任何特定插槽填充要求。 双处理器：从处理器 1 开始循环填充插槽。 注: 然后应符合处理器 1 和处理器 2 的填充方法。 表 2. 内存填充规则 处理器 配置 内存填充 内存填充信息 单处理器 优化器(独立通道)填充顺序 1、2、3、4、5、6、7、8、9、10 按照此顺序填充，允许奇数。 允许填充奇数 DIMM。 注: 奇数 DIMM 将导致不平衡的内存配置，从而导致性能丢失。建议使用完全相同的 DIMM 通过完全相同的方式填充所有内存通道，以获得最佳性能。 优化器填充顺序与用于单个处理器的 4 和 8 个 DIMM 的传统安装不同。 对于 4 个 DIMM：A1、A2、A4、A5 对于 8 个 DIMM：A1、A2、A4、A5、A7、A8、A9、A10 镜像填充顺序。 {1、2、3、4、5、6} 镜像支持每个处理器包含 6 个 DIMM 插槽。 单列备用填充顺序 1、2、3、4、5、6、7、8、9、10 按照此顺序填充，允许奇数。需要两个列数或更多的每个信道。 多列备用填充顺序 1、2、3、4、5、6、7、8、9、10 按照此顺序填充，允许奇数。需要三个列数或更多的每个信道。 双处理器（从处理器 1 开始循环填充） 优化（独立通道）填充顺序 A{1}、B{1}、A{2}、B{2}、A{3}、B{3}… 允许每个处理器填充奇数 DIMM 插槽。 允许填充奇数 DIMM。 注: 奇数 DIMM 将导致不平衡的内存配置，从而导致性能丢失。建议使用完全相同的 DIMM 通过完全相同的方式填充所有内存通道，以获得最佳性能。 优化器填充顺序与用于双处理器的 8 和 14 DIMM 的传统安装不同。 对于 8 个 DIMM：A1、A2、A4、A5、B1、B2、B4、B5 对于 14 个 DIMM：A1、A2、A4、A5、A7、A8、A9、A10、B1、B2、B3、B4、B5、B6 镜像填充顺序。 A{1, 2, 3, 4, 5, 6}、B{1, 2, 3, 4, 5, 6} 镜像支持每个处理器包含 6 个 DIMM 插槽。 单列备用填充顺序 A{1}、B{1}、A{2}、B{2}、A{3}、B{3}… 请按以下顺序填充，允许每个处理器的奇数 DIMM。需要两个列数或更多的每个信道。 多列备用填充顺序 A{1}、B{1}、A{2}、B{2}、A{3}、B{3}… 请按以下顺序填充，允许每个处理器的奇数 DIMM。需要三个列数或更多的每个信道。 |
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